集电极-发射极电压 >4.5V
集电极-基电压 >9V
射极-基极电压 >1V
特怔频率 25GHZ
硅锗材料，比其他公司的普通硅材料高频三极管，如2SC5508, BFG425W有更好的高频特性。
可以完全替代上述高频三极管。
产品规格︰
用于各种高频遥控器中的高频中功率NPN型三极管。常见封装形式为SOT343R塑料封装。
集电极-发射极电压 >4.5V
集电极-基电压 >9V
射极-基极电压 >1V
特怔频率 25GHZ
产品优点︰
硅锗材料，比其他公司的普通硅材料高频三极管，如2SC5508, BFG425W有更好的高频特性。
可以完全替代上述高频三极管。
